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【发明公布】可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法_季华实验室_202310429632.9 

申请/专利权人:季华实验室

申请日:2023-04-21

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116178747A

主分类号:C08G83/00

分类号:C08G83/00;C08J5/18;C08L87/00;C09K11/06

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.09.05#授权;2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:本发明涉及有机半导体领域,具体涉及一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法,包括主体材料和客体材料,所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物,所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物。通过构建主体材料和客体材料以及两者配体分子之间的相似性、空间匹配程度、相互作用等方面去制备超分子晶体膜,其掺杂所形成的结晶借助晶格、氢键等相互作用实现局部限域,使得其能实现主体分子和客体分子较强的电子自旋‑轨道作用以及电子跃迁偶极作用,以及二者之间的耦合,其在光谱上表现为在长波长处有更为明显的发射,且表现出明显的长寿命三重态发射。

主权项:1.一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜,其特征在于,包括主体材料和客体材料,所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物,所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物;所述主体材料中至少有一类或多类配体分子与客体材料中一类或多类配体分子之间存在空间结构相似、空间匹配或存在相互作用,以通过实现局部限域兼顾主体分子与客体分子较强的电子自旋-轨道作用、电子跃迁偶极作用以及二者之间的耦合。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 季华实验室 可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法

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