申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

申请日：2022-11-22

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190245A

主分类号：H01L21/48

分类号：H01L21/48;H01L23/498;H01L21/56

优先权：["20211129 US 17/536,538"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.05.30#公开

摘要：公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：设置具有基部和多个金属柱的金属基板，基部是具有基本上均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装第一半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘的模制料的封装体；将第一半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。

主权项：1.一种形成半导体封装的方法，所述方法包括：设置包括基部和多个金属柱的金属基板，所述基部是具有均匀厚度的平面盘，所述多个金属柱各自从所述基部的平面上表面向上延伸；在所述金属基板的上表面上安装第一半导体管芯；在所述基部的上表面上形成电绝缘的模制料的封装体；将所述第一半导体管芯的端子电连接至所述金属柱；以及去除所述基部，以在所述封装体的第一表面处从所述金属柱形成封装触点。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 形成半导体封装的方法和半导体封装

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