申请/专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学

申请日：2022-12-14

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116193974A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01;H10N60/12;H10N69/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本发明属于电子核心产业超导集成电路技术领域，特别涉及一种利用N空位缺陷调控NbNAlNNbN约瑟夫森结电输运性质的方法，分别选取多种无缺陷模型；从多种无缺陷模型中选取晶格失配率最低且结合能最高的模型作为参考模型，在参考模型中增加势垒层AlN中的N空位缺陷，控制N空位的总数相同，在界面层设置N空位和在AlN的每个原子层中设置不同N空位数量，构建缺陷模型，在保证AlN的每个原子层N空位数量一致的情况下，调整N空位在原子层中的位置，构建缺陷模型；将上述模型转换为NbNAlNNbN约瑟夫森结器件模型；采用Nanodcal软件计算模型的电输运性质；对电输运性质结果进行分析。本发明探究了势垒层AlN中N空位分布的不同及位置的不同对NbNAlNNbN约瑟夫森结电输运性质的影响。

主权项：1.一种利用N空位缺陷调控NbNAlNNbN约瑟夫森结电输运性质的方法，其特征在于，包括以下步骤：分别选取不同晶格常数的AlN和NbN结合构建多种无缺陷模型；从上述多种无缺陷模型中选取晶格失配率最低且结合能最高的模型作为参考模型，在参考模型中增加势垒层AlN中的N空位缺陷，控制N空位的总数相同，在界面层设置N空位和在AlN的每个原子层中设置不同N空位数量，构建反应不同的空位分布对电学性质影响的缺陷模型，在保证AlN的每个原子层N空位数量一致的情况下，调整N空位在原子层中的位置，构建反应不同的空位位置对电学性质影响的缺陷模型；根据初步构建的无缺陷模型和缺陷模型，将其转换为NbNAlNNbN约瑟夫森结器件模型；采用Nanodcal软件计算不同器件模型的电输运性质，电输运性质至少包含：平衡态透射谱、平衡态电导和局域态密度；通过对得到的电输运性质结果进行分析，确定势垒层AlN中N空位分布的不同及位置的不同对NbNAlNNbN约瑟夫森结电输运性质的影响。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学 利用N空位缺陷调控NbN/AlN/NbN约瑟夫森结电输运性质的方法

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