申请/专利权人：中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司

申请日：2023-02-13

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116184270A

主分类号：G01R31/58

分类号：G01R31/58;G01R1/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本发明提供一种电迁移测试结构，在被测结构的一侧设置陪衬结构，在被测结构的另一侧设置空白区域，一方面，陪衬结构可以用于模拟实际电路中相应的互连结构，从而可以利用陪衬结构并通过电迁移测试来评估互连结构的可靠性，另一方面，空白区域可以用于模拟实际电路中互连结构的图形边缘，从而利用空白区域探测工艺问题导致实际电路中图形边缘的互连结构损伤，由此，能更全面地侦测工艺问题导致的电迁移恶化，为工艺改善提供量化的可靠性数据和准确方向。

主权项：1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括被测结构、引线结构和陪衬结构，所述被测结构具有相对设置的第一端和第二端，所述被测结构的第一端和第二端中的至少一者电性连接有所述引线结构，所述陪衬结构分布在所述被测结构的一侧区域中，所述被测结构的另一侧为空白区域且用于模拟实际电路中相应的互连结构的边缘。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯先锋集成电路制造(绍兴)有限公司 电迁移测试结构

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