申请/专利权人：丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司

申请日：2021-09-29

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116195067A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本文描述了一种功率半导体装置，该装置具有半导体衬底，半导体衬底包括有源区域和围绕有源区域的边缘终端区域、位于半导体衬底的边缘终端区域中的边缘终端结构、以及位于半导体衬底的边缘终端区域的上表面上的多个氧化物段，其中多个氧化物段在横向上相互间隔。功率半导体装置还包括电荷耗散层，其位于半导体衬底的边缘终端区域的上表面和多个氧化物段之上，从而使得电荷耗散层仅在多个界面区域与半导体衬底的上表面接触，其中，界面区域包括半导体衬底的在横向上位于相邻的氧化物段之间的区域。

主权项：1.一种功率半导体装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一导电类型的第一区域，所述半导体衬底包括有源区域和围绕所述有源区域的边缘终端区域，其中，所述边缘终端区域在横向上位于所述有源区域和所述半导体装置的侧表面之间；第二导电性类型的第一区域，所述第二导电性类型的所述第一区域的位于所述有源区域中并且在所述第一导电性类型的所述第一区域之上；边缘终端结构，所述边缘终端结构包括位于所述半导体衬底的所述边缘终端区域并延伸到所述半导体衬底的上表面的一个或多个第二导电类型的区域；多个氧化物段，所述多个氧化物段位于所述半导体衬底的所述边缘终端区域的所述上表面之上，其中，所述多个氧化物段在横向上相互隔开；以及电荷耗散层，所述电荷耗散层位于所述半导体衬底的所述边缘终端区域的所述上表面和所述多个氧化物段之上，从而使得所述电荷耗散层仅在多个界面区域与所述半导体衬底的所述上表面接触，其中，所述界面区域包括所述半导体衬底的在横向上位于相邻的氧化物段之间的区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 丹尼克斯半导体有限公司;株洲中车时代半导体有限公司 半导体装置

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