申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2021-07-28

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116194924A

主分类号：G06F30/394

分类号：G06F30/394

优先权：["20201008 US 17/065,746"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：MOSIC包括相邻的晶体管逻辑的第一集合和晶体管逻辑的第二集合，每一者包括在第一方向上以相同的栅极间距延伸的共线栅极互连。晶体管逻辑的第一集合具有第一单元高度h1和在第二方向上单向延伸的第一数目的Mx层轨道，该第二方向与第一方向正交。晶体管逻辑的第二集合具有第二单元高度h2和在第二方向上单向延伸的第二数目的Mx层轨道，其中h2h1，并且第二数目的Mx层轨道大于第一数目的Mx层轨道。以下中的至少一者：高度比率hR＝h2h1为非整数值，或者晶体管逻辑的第一集合的子集和晶体管逻辑的第二集合的子集在一个逻辑单元内。

主权项：1.一种金属氧化物半导体MOS集成电路IC，包括：晶体管逻辑的第一集合，具有在第一方向上延伸的第一多个栅极互连，所述第一多个栅极互连具有栅极间距，所述晶体管逻辑的第一集合具有一个或多个功率轨对，所述一个或多个功率轨对向每个对应的功率轨对之间的逻辑提供电源电压和接地电压，所述晶体管逻辑的第一集合具有第一单元高度h1并且具有在每个功率轨对之间的在第二方向上单向延伸的第一数目的金属xMx层轨道，所述第二方向与所述第一方向正交；和晶体管逻辑的第二集合，在所述第一方向上与所述晶体管逻辑的第一集合相邻定位，所述晶体管逻辑的第二集合具有在所述第一方向上延伸的第二多个栅极互连，所述第二多个栅极互连具有与所述第一多个栅极互连相同的栅极间距并且每个栅极互连与所述第一多个栅极互连中的相应栅极互连共线，所述晶体管逻辑的第二集合具有一个或多个功率轨对，所述一个或多个功率轨对向每个对应的功率轨对之间的逻辑提供所述电源电压和所述接地电压，所述晶体管逻辑的第二集合具有第二单元高度h2并且具有在每个功率轨对之间的在所述第二方向上单向延伸的第二数目的Mx层轨道，所述第二单元高度h2大于所述第一单元高度h1，所述Mx层轨道的第二数目大于所述Mx层轨道的第一数目，其中以下中的至少一者：高度比率hR＝h2h1为非整数值，或者所述晶体管逻辑的第一集合的子集和所述晶体管逻辑的第二集合的子集在一个逻辑单元内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 异构高度逻辑单元架构

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