申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2022-11-15

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190203A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/322

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本申请公开了一种半导体基底、半导体器件以及制作方法，所述半导体基底的制作方法包括：提供一SOI基底，SOI基底包括：第一绝缘层；位于第一绝缘层上的至少一个单晶硅区块；第二绝缘层，覆盖单晶硅区块以及单晶硅区块四周的第一绝缘层；在平行SOI基底的方向上，单晶硅区块具有相对的第一端和第二端；在第二绝缘层上形成第一窗口，露出单晶硅区块对应第一端的局部；基于第一窗口露出的单晶硅区块，形成成核区块；形成贯穿第二绝缘层的第二窗口，露出单晶硅区块对应第二端的局部；基于第二窗口，去除单晶硅区块，形成位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的间隙结构；基于成核区块，在间隙结构内选择性横向外延生长GaN层。

主权项：1.一种半导体基底的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一SOI基底，所述SOI基底包括：第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的至少一个单晶硅区块；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述单晶硅区块以及所述单晶硅区块四周的所述第一绝缘层；在平行于所述SOI基底的方向上，所述单晶硅区块具有相对的第一端和第二端；在所述第二绝缘层上形成第一窗口，露出所述单晶硅区块对应所述第一端的局部；基于所述第一窗口露出的所述单晶硅区块，形成成核区块；形成贯穿所述第二绝缘层的第二窗口，露出所述单晶硅区块对应所述第二端的局部；基于所述第二窗口，去除所述单晶硅区块，形成位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的间隙结构；基于所述成核区块，在所述间隙结构内选择性横向外延生长GaN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 半导体基底、半导体器件以及制作方法

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