申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2023-03-06

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190226A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/739

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。所述方法包括：提供衬底，衬底沿第一方向依次设有有源区、过渡区及终端区；于有源区内形成多个间隔排布的沟槽栅结构，沟槽栅结构的顶部具有栅极凹槽；于各栅极凹槽的底部和侧壁以及有源区的表面形成热氧化层；于各栅极凹槽内及热氧化层的表面形成介电层；于介电层的表面形成图形化光刻胶层；图形化光刻胶层具有暴露出部分介电层的表面的开口；基于图形化光刻胶层去除部分的介电层以及热氧化层，使开口暴露出部分有源区的表面；采用自对准刻蚀工艺基于开口去除部分的有源区，以形成至少一个有源区接触孔。采用本方法能够提高小pitch元胞器件参数一致性，进而提高芯片的可靠性。

主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；所述衬底沿第一方向依次设有有源区、过渡区以及终端区；于所述有源区内形成多个间隔排布的沟槽栅结构，其中，所述沟槽栅结构的顶部具有栅极凹槽；于各所述栅极凹槽的底部、各所述栅极凹槽的侧壁以及所述有源区的表面形成热氧化层；于各所述栅极凹槽内以及所述热氧化层的表面形成介电层；于所述介电层的表面形成图形化光刻胶层；所述图形化光刻胶层具有开口，所述开口暴露出部分所述介电层的表面；基于所述图形化光刻胶层去除位于部分所述沟槽栅结构之间的所述介电层以及所述热氧化层，以使所述开口暴露出部分所述有源区的表面；采用自对准刻蚀工艺基于所述开口去除部分的所述有源区，以形成至少一个有源区接触孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构

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