申请/专利权人：浙江求是半导体设备有限公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116190484A

主分类号：H01L31/077

分类号：H01L31/077;H01L31/028;H01L31/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本发明实施例提供了一种异质结电池和制备方法，属于硅片电池技术领域，异质结电池包括：衬底层，所述衬底层具体为本征硅材质的硅片；磷扩散层，所述磷扩散层设置在衬底层正反面中的一个面上；钝化层，所述钝化层分为第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设置在磷扩散层上，所述第二钝化层设置在衬底层未设置磷扩散层的一侧面上；电子收集层；空穴收集层，所述空穴收集层和电子收集层分别设置在两层钝化层上；透明导电层，所述透明导电层有两层，两层透明导电层分别设置在电子收集层和空穴收集层上；以及电极，所述电极分别设置在正反面的透明导电层上；达到异质结电池的品质差异减小的技术效果。

主权项：1.一种异质结电池，其特征在于，所述异质结电池包括：衬底层，所述衬底层具体为本征硅材质的硅片；磷扩散层，所述磷扩散层设置在衬底层正反面中的一个面上；钝化层，所述钝化层分为第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层设置在磷扩散层上，所述第二钝化层设置在衬底层未设置磷扩散层的一侧面上；电子收集层；空穴收集层，所述空穴收集层和电子收集层分别设置在两层钝化层上；透明导电层，所述透明导电层有两层，两层透明导电层分别设置在电子收集层和空穴收集层上；以及电极，所述电极分别设置在正反面的透明导电层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江求是半导体设备有限公司 一种异质结电池和制备方法

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