申请/专利权人:英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司
申请日:2023-03-24
公开(公告)日:2023-05-30
公开(公告)号:CN116190316A
主分类号:H01L21/78
分类号:H01L21/78;H01L21/268
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开
摘要:本发明涉及从晶圆上切割管芯的方法及相应的管芯结构,这里晶圆包括由第一方向与第二方向的切片线分开的多个管芯,还包括位于所述切片线之下的硅层以及金属层。该方法包括利用第一能量密度激光脉冲扫描所述切片线以切割所述切片线及其下方的金属层以及硅层的一部分,其中所述第一能量密度激光脉冲在所述金属层产生等离子体;通过持续所述第一能量密度激光脉冲扫描来加热所述等离子体至第一温度,引起所述等离子体爆炸扩散以在所述硅层的所述一部分的表面上形成具有不规则表面粗糙度的表面。
主权项:1.一种半导体管芯结构,包括至少一个管芯,其中每个管芯进一步包括:金属层;位于所述金属层之下的硅层;其中所述硅层包括具有不规则表面粗糙度的表面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 英特尔产品(成都)有限公司;英特尔公司 管芯结构及其制作方法
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