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【发明公布】太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池_三一硅能(株洲)有限公司_202211105400.X 

申请/专利权人:三一硅能(株洲)有限公司

申请日:2022-09-09

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN116190488A

主分类号:H01L31/18

分类号:H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/0224

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要:本发明涉及光伏电池技术领域,提供一种太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池,其中,太阳能电池的接触结构的制备方法包括在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜;采用刻蚀工艺减小目标区域的钝化介质膜的厚度,目标区域的钝化介质膜的厚度须大于零;在目标区域涂覆金属浆料,并进行高温烘干处理、以使金属浆料形成电极栅线,金属浆料设置为不能腐蚀钝化介质膜;在电极栅线上施加导引电荷,导引电荷设置为与硅衬底内能够产生的非平衡载流子的电荷相异,并利用光源对非目标区域的钝化介质膜进行照射。如此设置,解决了现有技术中的太阳能电池的金属接触区域的复合损失较高的问题。

主权项:1.一种太阳能电池的接触结构的制备方法,其特征在于,包括:在硅衬底的表面沉积形成钝化介质膜;采用刻蚀工艺减小目标区域的所述钝化介质膜的厚度,所述目标区域的所述钝化介质膜的厚度须大于零;在所述目标区域涂覆金属浆料,并进行高温烘干处理、以使所述金属浆料形成电极栅线,所述金属浆料设置为不能腐蚀所述钝化介质膜;在所述电极栅线上施加导引电荷,所述导引电荷设置为与所述硅衬底内能够产生的非平衡载流子的电荷相异,并利用光源对非目标区域的所述钝化介质膜进行照射。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三一硅能(株洲)有限公司 太阳能电池的接触结构、制备方法及太阳能电池

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