申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2022-09-14
公开(公告)日:2023-05-30
公开(公告)号:CN116190342A
主分类号:H01L23/498
分类号:H01L23/498;H01L23/31
优先权:["20211126 KR 10-2021-0165375"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2023.05.30#公开
摘要:公开了一种半导体封装,包括:再分布衬底;以及半导体芯片,在再分布衬底上。再分布衬底包括:多个第一导电图案,包括彼此相邻的一对第一信号图案;以及多个第二导电图案,在第一导电图案的表面上,并耦合到第一导电图案。第二导电图案包括与一对第一信号图案绝缘的接地图案。接地图案具有穿透接地图案的开口。当在平面图中观察时,该对第一信号图案与开口重叠。
主权项:1.一种半导体封装,包括:再分布衬底;以及半导体芯片,在所述再分布衬底上,其中,所述再分布衬底包括:多个第一导电图案,包括彼此相邻的一对第一信号图案;以及多个第二导电图案,在所述第一导电图案的第一表面上,并耦合到所述第一导电图案,其中,所述第二导电图案包括与所述一对第一信号图案绝缘的接地图案,其中,所述接地图案具有穿透所述接地图案的开口,并且其中,当在平面图中观察时,所述一对第一信号图案与所述开口重叠。
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