申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2022-12-23

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN116184658A

主分类号：G02B27/00

分类号：G02B27/00;G02B3/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本发明涉及一种增大表面等离子体超透镜成像对比度的方法及超透镜。本发明对掩模吸收层的材料进行仿真优化，结果显示光刻胶中像的对比度随掩模吸收层材料的改变有明显变化，说明优化掩模吸收层材料可以明显提高该结构下的空间像对比度。可见，本发明为调整光刻精准度提供了另一种技术手段，该技术手段还可以与现有手段相结合，进一步扩大对比度调整的范围，甚至改变分辨力等其他光刻性能。

主权项：1.一种增大表面等离子体超透镜成像对比度的方法，其特征在于，包括：通过改变等离子体超透镜中掩模吸收层的材料类型来提高成像对比度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 增大表面等离子体超透镜成像对比度的方法及超透镜

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