申请/专利权人:联华电子股份有限公司
申请日:2018-10-31
公开(公告)日:2023-05-30
公开(公告)号:CN111129289B
主分类号:H10N50/10
分类号:H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.30#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2020.05.08#公开
摘要:本发明公开一种半导体元件及其制作方法,该制作半导体元件的方法为,首先形成一第一金属间介电层于一基底上,然后形成一金属内连线于第一金属间介电层内,形成一下电极层以及一固定层于第一金属间介电层上,形成一牺牲层于该固定层上,图案化该牺牲层、该固定层以及该下电极层以形成一第一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ,形成一第二金属间介电层环绕第一MTJ,再去除牺牲层。
主权项:1.一种半导体元件,其特征在于,包含:磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,设于基底上,其中该磁性隧穿结包含:固定层,设于下电极层上;阻障层,设于该固定层上,其中该阻障层包含U形;自由层,设于该阻障层上;以及上电极层,设于该自由层上,间隙壁,环绕该磁性隧穿结,其中该阻障层的顶面与该间隙壁的顶面切齐,且该阻障层的侧壁与该固定层的侧壁切齐,第一金属间介电层,设于该基底上;金属内连线,设于该第一金属间介电层内;该磁性隧穿结,设于该金属内连线上;以及第二金属间介电层,设于该第一金属间介电层上并环绕该间隙壁,其中该上电极层直接接触该间隙壁、该第二金属间介电层以及该阻障层的上表面。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
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