申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司

申请日：2020-10-22

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN112259593B

主分类号：H10K59/121

分类号：H10K59/121;H10K59/122;H10K59/123;H10K59/131;H10K71/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.30#授权;2021.02.09#实质审查的生效;2021.01.22#公开

摘要：本申请提供一种阵列基板、阵列基板的制作方法和显示装置，阵列基板包括像素电极层、公共信号线以及虚拟数据线，所述公共信号线设置于所述像素电极层的一侧；所述虚拟数据线和所述公共信号线设置于同一层，所述虚拟数据线包括主体部，所述主体部与所述公共信号线间隔设置，所述主体部的截面积小于所述公共信号线的截面积，所述主体部和所述公共信号线通过所述像素电极层电连接。本申请通过像素电极层将虚拟数据线的主体部和公共信号线电连接，避免在阵列基板制作过程中，由于虚拟数据线端部与公共信号线连接的端部较细，容易聚集大量公共信号线的电荷，导致静电冲击。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：像素电极层；公共信号线，所述公共信号线设置于所述像素电极层的一侧；以及虚拟数据线，所述虚拟数据线和所述公共信号线设置于同一层；所述虚拟数据线包括主体部，所述主体部与所述公共信号线间隔设置，所述主体部的截面积小于所述公共信号线的截面积，所述主体部通过所述像素电极层和所述公共信号线电连接，从而避免由于所述虚拟数据线与所述公共信号线连接的端部较细，所述公共信号线上累积的电荷在所述虚拟数据线的尖端聚集而导致的静电冲击现象；或者所述虚拟数据线包括主体部和第一连接部，所述主体部和所述第一连接部间隔设置，所述主体部通过所述像素电极层和所述第一连接部电连接，所述第一连接部与所述公共信号线邻接，所述第一连接部的截面积大于所述主体部的截面积，所述第一连接部的截面积小于或等于所述公共信号线的截面积，所述主体部通过所述第一连接部和所述像素电极层与所述公共信号线电连接，从而避免由于所述虚拟数据线与所述公共信号线连接的端部较细，所述公共信号线上累积的电荷在所述虚拟数据线的尖端聚集而导致的静电冲击现象；或者所述虚拟数据线包括第一连接部和第二连接部，所述第二连接部和所述主体部间隔设置，所述主体部设置于所述第一连接部和所述第二连接部之间，所述主体部通过所述像素电极层和所述第二连接部电连接，所述第二连接部和所述公共信号线邻接，所述主体部通过所述第一连接部、所述第二连接部以及所述像素电极层与所述公共信号线电连接，所述第一连接部和所述第二连接部的截面积均大于所述主体部的截面积，所述第一连接部的截面积小于或等于所述公共信号线的截面积，从而避免由于所述虚拟数据线与所述公共信号线连接的端部较细，所述公共信号线上累积的电荷在所述虚拟数据线的尖端聚集而导致的静电冲击现象。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD