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【发明授权】一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构_德欧泰克半导体(上海)有限公司_202211254895.2 

申请/专利权人:德欧泰克半导体(上海)有限公司

申请日:2022-10-13

公开(公告)日:2023-05-30

公开(公告)号:CN115440607B

主分类号:H01L21/60

分类号:H01L21/60;H01L21/67

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2023.05.30#授权;2022.12.23#实质审查的生效;2022.12.06#公开

摘要:本申请涉及一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构,涉及半导体封装的技术领域,其包括将下引线框架固定安装在第一石墨载体上;在下引线框架的焊接点位上放置焊片和芯片;将上引线框架叠放在下引线框架上;在叠合设置的焊接单元顶部盖设第二石墨载体;将焊接单元以及盖设在焊接单元顶部的第二石墨载体放置在焊接炉内进行加热焊接。焊片替换锡膏实现芯片在上引线框架和下引线框架之间的欧姆连接,锡膏相比较,焊片材料具有较低的成本,同时焊片自身不含助焊剂,有效避免芯片焊接完成后助焊剂的析出,提高芯片在上引线框架和下引线框架上焊接安装的稳定性,焊片不含助焊剂,改善焊接过程中焊点处产生空洞的问题。

主权项:1.一种半导体封装工艺,其特征在于:基于一种石墨舟结构,所述石墨舟结构包括第一石墨载体(2)和第二石墨载体(7),所述第一石墨载体(2)包括承载板(12),且所述承载板(12)上设置有料槽(9)、限位槽(10)、限位桩(11)以及焊接单元区,所述限位桩(11)四个为一组设置在任一料槽(9)的四周;任一所述料槽(9)的槽底开设有导热孔(13),所述导热孔(13)贯穿所述承载板(12)设置;所述承载板(12)上贯穿开设有用于将其自身在焊接炉内进行定位的定位孔(14);所述承载板(12)的端面贯穿开设有多个散热孔(16);包括以下步骤,S0,开设限位槽(10)和设置限位桩(11),在上引线框架(5)和下引线框架(1)位于焊接位点的一侧均开设限位槽(10),在第一石墨载体(2)位于上引线框架(5)和下引线框架(1)的焊接位点的周侧设置限位桩(11),且限位桩(11)分别与上引线框架(5)和下引线框架(1)上的限位槽(10)形成限位插接安装,且所述限位桩(11)与对应的限位槽(10)之间设置有热形变间隙;S01,采用ANSYS热模拟软件对第一石墨载体(2)进行热变形模拟,并根据模拟数据计算出热形变间隙的尺寸大小,对限位桩(11)的尺寸做修整;S1,将下引线框架(1)限位安装在第一石墨载体(2)上;S2,在下引线框架(1)的焊接点位上放置芯片(4),所述芯片(4)的数量至少设置为一个,任一所述芯片(4)相对的两侧设置有焊片(3);S3,对齐上引线框架(5)和下引线框架(1)的焊接位点,此时所述焊片(3)和所述芯片(4)被夹持在所述下引线框架(1)的焊接点位以及所述上引线框架(5)的焊接点位之间,同时将上引线框架(5)限位安装在第一石墨载体(2)上,并将第二石墨载体(7)盖设在第一石墨载体(2)上;其中,所述第一石墨载体(2)和第二石墨载体(7)厚度方向的两侧至少设置有一个焊接单元区,所述下引线框架(1)、上引线框架(5)、焊片(3)以及芯片(4)位于焊接单元区内构成焊接单元(6),所述焊接单元(6)的数量沿第一石墨载体(2)和第二石墨载体(7)的厚度方向至少设置有一个;S4,将第一石墨载体(2)、焊接单元(6)和第二石墨载体(7)放置在焊接炉内进行加热焊接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 德欧泰克半导体(上海)有限公司 一种半导体封装工艺及应用于该工艺的石墨舟结构

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