申请/专利权人：合肥新晶集成电路有限公司

申请日：2023-02-08

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN115881779B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.30#授权;2023.04.18#实质审查的生效;2023.03.31#公开

摘要：本申请涉及一种晶体管结构、半导体结构及其制备方法。该晶体管结构包括体区及漂移区；以及源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述体区及所述漂移区上；所述栅极结构的两端分别延伸至所述源区上及所述漂移区上；以及场板，包括位于所述漂移区上的第一部分，以及位于所述栅极结构上的第二部分；其中，所述场板的所述第一部分包括梳齿结构。本申请提供的晶体管结构、半导体结构及其制备方法能够在形成具有较低导通电阻的电流传输通道的同时提升耐压性能，实现较高击穿电压与较低导通电阻的良好折中。

主权项：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括体区及漂移区；以及源区，位于所述体区内；漏区，位于所述漂移区内；栅极结构，位于所述体区及所述漂移区上；所述栅极结构的两端分别延伸至所述源区上及所述漂移区上；以及场板，包括位于所述漂移区上的第一部分，以及位于所述栅极结构上的第二部分；所述场板的所述第一部分和所述第二部分为一体结构，其中，所述场板的所述第一部分包括梳齿结构，所述场板的所述第二部分在所述体区及所述漂移区上的正投影位于所述栅极结构在所述体区及所述漂移区上的正投影内；所述场板的所述第二部分远离所述第一部分的边界与所述栅极结构远离所述第一部分的边界之间具有间隔；所述间隔大于第一阈值且小于第二阈值；所述场板的所述第二部分的顶面高于所述梳齿结构的顶面，且所述场板的所述第二部分的底面高于所述梳齿结构的底面；所述晶体管结构还包括：浅沟槽隔离结构，位于所述漂移区内且位于所述漏区与所述栅极结构之间；所述场板的所述第一部分位于所述浅沟槽隔离结构上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥新晶集成电路有限公司 晶体管结构、半导体结构及其制备方法

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