申请/专利权人：三菱瓦斯化学株式会社

申请日：2019-11-19

公开（公告）日：2023-05-30

公开（公告）号：CN113015823B

主分类号：C23F1/18

分类号：C23F1/18;H01L21/308

优先权：["20181120 JP 2018-217067"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.30#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要：本发明涉及抑制镍、锡、金和它们的合金的溶解、且能对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液。本发明的蚀刻液的特征在于，其包含：相对于蚀刻液的总质量为5～10.5质量％的A过氧化氢；相对于蚀刻液的总质量为0.3～6质量％的B硝酸；C任选具有取代基的、选自由三唑和四唑组成的组中的1种以上的含氮五元环化合物，所述取代基选自由碳数1～6的烷基、氨基、以及具有选自由碳数1～6的烷基和苯基组成的组中的取代基的取代氨基组成的组中的1种以上；以及Dd1选自由碱金属氢氧化物、氨、胺和铵盐组成的组中的1种以上的pH调节剂、d2膦酸化合物或d3它们的组合。

主权项：1.一种蚀刻液，其为：在包含选自由铜和铜合金组成的组中的1种以上、选自由镍和镍合金组成的组中的1种以上、和选自由锡、锡合金、金和金合金组成的组中的1种以上的半导体基板中，用于对选自由铜和铜合金组成的组中的1种以上选择性地进行蚀刻的蚀刻液，所述蚀刻液包含：相对于蚀刻液的总质量为5～10.5质量％的A过氧化氢；相对于蚀刻液的总质量为0.3～6质量％的B硝酸；C任选具有取代基的、选自由三唑和四唑组成的组中的1种以上的含氮五元环化合物，所述取代基选自由碳数1～6的烷基、氨基、以及具有选自由碳数1～6的烷基和苯基组成的组中的1种以上取代基的取代氨基组成的组中的1种以上；以及Dd1选自由碱金属氢氧化物、氨、胺和铵盐组成的组中的1种以上的pH调节剂、d2膦酸化合物或d3它们的组合，所述蚀刻液的pH为0.7～1.3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三菱瓦斯化学株式会社 用于对铜和铜合金选择性地进行蚀刻的蚀刻液和使用其的半导体基板的制造方法

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