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摘要：本发明涉及一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法。所述“三明治”型人工反铁电膜材料包括基体、底电极、缓冲层、“三明治”介电层、顶电极，基体为硅单晶基体，底电极为惰性金属电极，缓冲层为钙钛矿型氧化物，“三明治”介电层为铁电薄膜，顶电极为高电导率金属点电极。本发明提供的“三明治”型人工反铁电材料具有高耐击穿电场≥2000kVcm和优异抗疲劳特性可承受≥109次极化循环周期，而且材料体系晶化温度较低≤500℃，利于微电子器件的集成应用。本发明可为开发新型反铁电材料体系另辟蹊径，同时能够极大拓宽反铁电材料性能调控的研究范畴。
主权项：1.一种“三明治”型反铁电膜材料，其特征在于，所述“三明治”型反铁电膜材料包括基体、底电极、缓冲层、“三明治”介电层、顶电极；其中，基体为半导体硅单晶，底电极为惰性金属铂薄层，缓冲层为钙钛矿型氧化物镍酸镧或钌酸锶或锰酸镧锶或钴酸镧锶，“三明治”介电层为钛酸钡、铁酸铋、锆钛酸铅、铌酸钾钠薄膜，顶电极为高电导率的铂或金圆点电极。
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百度查询： 齐鲁工业大学(山东省科学院) 一种“三明治”型人工反铁电膜材料及其制备方法
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