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【发明公布】制造方法_意法半导体(克洛尔2)公司_202311475458.8 

申请/专利权人:意法半导体(克洛尔2)公司

申请日:2023-11-08

公开(公告)日:2024-05-10

公开(公告)号:CN118016528A

主分类号:H01L21/331

分类号:H01L21/331;H01L29/732;H01L29/06;H01L29/36

优先权:["20221110 FR 2211714","20231106 US 18/387,325"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.28#实质审查的生效;2024.05.10#公开

摘要:一种电子器件包括覆盖由掺杂半导体材料制成的第二层的绝缘第一层。形成腔以穿过第一层并到达第二层。绝缘间隔件抵靠腔的侧壁形成。第一掺杂半导体区域填充腔。第一掺杂半导体区域具有从第二层开始降低的掺杂浓度。

主权项:1.一种制造双极晶体管的方法,包括:通过以下步骤形成所述双极晶体管的集电极:形成覆盖由掺杂半导体材料制成的第二层的绝缘第一层,所述第二层形成所述集电极的第一部分;形成穿过所述绝缘第一层到达所述第二层的腔;形成抵靠所述腔的侧壁的绝缘间隔件;以及在所述腔中,从所述第二层外延生长第一掺杂半导体区域,所述第一掺杂半导体区域形成所述集电极的第二部分;其中所述第一掺杂半导体区域具有从所述第二层开始降低的掺杂浓度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 意法半导体(克洛尔2)公司 制造方法

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