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申请/专利权人：铂世光(上海)技术有限公司
摘要：本发明提出了一种MPCVD新型高功率谐振腔结构及方法，该结构包括：谐振腔壳体；谐振腔顶部斜面，用于聚集透过石英窗的微波，其朝向谐振腔壳体的内部空间倾斜；谐振腔顶部斜面与谐振腔壳体的端面连接并连通谐振腔壳体围成的内部空间，其靠近石英窗设置；谐振腔顶部斜面、谐振腔壳体共同围成微波谐振腔室；及若干进气导口，用于将混合气体通入微波谐振腔室，其开设于谐振腔顶部斜面并朝向微波谐振腔室倾斜，以使得等离子体球远离石英窗。本发明解决了高功率条件下普通柱形腔体场形畸变，沉积质量低的问题。
主权项：1.一种MPCVD新型高功率谐振腔结构，其特征在于，包括：谐振腔壳体1；谐振腔顶部斜面10，用于聚集透过石英窗11的微波，其朝向谐振腔壳体1的内部空间倾斜；所述谐振腔顶部斜面10与谐振腔壳体1的端面连接，其围成的区域连通谐振腔壳体1围成的内部空间，其靠近石英窗11设置；所述谐振腔顶部斜面10、谐振腔壳体1共同围成微波谐振腔室6；及均匀布设的进气导口7，用于将混合气体通入所述微波谐振腔室6，其开设于谐振腔顶部斜面10并朝向微波谐振腔室6倾斜，以使得等离子体球5远离石英窗11。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 铂世光(上海)技术有限公司 MPCVD新型高功率谐振腔结构及方法
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