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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明涉及一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法，实现了一维微纳米硅基陶瓷基底表面均匀定向生长辐射状SiC纳米线。本发明采用无催化剂辅助低压化学气相沉积工艺，以三氯甲基硅烷MTS为原料，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面制备辐射状SiC纳米线。本发明所提供的技术方案制备工艺简单，SiC纳米线纯度高，工艺普适性强，适合于不同尺寸的一维微纳米硅基陶瓷基底，工艺具有良好的可重复性。另外，辐射状SiC纳米线的生长无需催化剂的辅助，一方面简化了制备工艺，另一方面避免了催化剂的污染。所制备的SiC纳米线与一维微纳米硅基陶瓷基底之间结合力好，结构稳定，在复合材料强韧化方面中将具有广阔的应用前景。
主权项：1.一种一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线的方法，其特征在于步骤如下：步骤1、一维微纳米硅基陶瓷基底预处理：将一维微纳米硅基陶瓷基底分别用去离子水、无水乙醇、丙酮清洗，然后烘干，得到预处理后的一维微纳米硅基陶瓷基底；所述一维微纳米硅基陶瓷基底包括但不限于：高硅氧纤维布、高硅氧纤维毡、SiO2纳米线膜或SiO2纳米线气凝胶；步骤2、一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线：将预处理后的一维微纳米硅基陶瓷基底悬置于立式化学气相沉积炉温区中央，开启真空泵控制炉内真空度为1~5kPa；沉积炉以5~10℃min的升温速率升温至1100~1300℃，到达反应温度后，通入氩气、氢气和三氯甲基硅烷MTS；调节真空泵控制炉内压力为1~10kPa；反应10~30min后，停止通入氩气、氢气和三氯甲基硅烷MTS，关闭沉积炉电源，真空泵直至沉积炉冷却至室温后关闭，在一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线，得到一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长有辐射状SiC纳米线的陶瓷基底；所述氩气、氢气和三氯甲基硅烷MTS，流量分别控制在100~1000mLmin、300~1500mLmin和0.1-1gmin。
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百度查询： 西北工业大学 一维微纳米硅基陶瓷基底表面原位生长辐射状SiC纳米线及制备方法
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