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摘要:本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括:前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液,第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n‑1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为320~340:9.5~12.5:2.5~3.5的水、碱液及碱抛添加剂;补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为5.5~6.5:0.24~0.28:0.17~0.20。通过调整碱抛液的配方,上述硅片的碱抛光方法中硅片的减重量较小,能够减少硅片碱抛光减重量,降低制备过程中的碎片率,且经碱抛光的硅片背抛面光亮平整。
主权项:1.一种硅片的碱抛光方法,其特征在于,所述碱抛光方法包括依次进行的多个批次碱抛光处理,各个批次的碱抛光处理均包括以下步骤:前清洗:将硅片在第一混合溶液中清洗,所述第一混合溶液包括碱性试剂及H2O2;碱抛光:将前清洗后的所述硅片在碱抛液中进行碱抛光;后清洗:将碱抛光后的所述硅片在第二混合溶液中清洗,所述第二混合溶液包括碱性试剂及H2O2;酸洗:将后清洗后的所述硅片浸泡在酸液中清洗,除去氧化层;慢提拉:在水中清洗酸洗后的所述硅片,并缓慢提出;及干燥;其中,第一批次的碱抛光处理中的所述碱抛液为初始碱抛液,所述初始碱抛液的组分包括:体积比为320~340:9.5~12.5:2.5~3.5的水、碱液及碱抛添加剂;第n批次的碱抛光处理的所述碱抛液通过在第n-1批次的所述碱抛液中添加补液制得;所述补液的组分包括:5.5~6.5:0.24~0.28:0.17~0.20的水、碱液及碱抛添加剂;第n批次的所述补液与所述初始碱抛液的体积比为5.91~6.98:332~356;其中,2≤n≤60;所述碱液选自氢氧化钠和氢氧化钾中的至少一种的水溶液,所述碱液的浓度为45wt%~48wt%。
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