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半导体结构及半导体结构的制造方法 

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摘要:本发明涉及半导体技术领域,提出了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。半导体结构包括衬底、沟槽以及字线,衬底包括隔离结构和有源区,有源区包括第一类型的离子;沟槽位于有源区内,沟槽的内表面包括相邻设置的反型掺杂层和氧化层,反型掺杂层位于氧化层的上方;字线位于沟槽内;其中,反型掺杂层包括第二类型的离子,第一类型与第二类型相反。通过在沟槽的槽壁内形成有与有源区掺杂类型相反的反型掺杂层,从而形成浅结即PN结来固定有源区,抵消部分漏端电压,改善了漏端耗尽区的峰值电场,进而改善热载流子隧穿,以此改善半导体结构的性能。

主权项:1.一种半导体结构,其特征在于,包括:衬底,所述衬底包括隔离结构和有源区,所述有源区包括第一类型的离子;沟槽,所述沟槽位于所述有源区内,所述沟槽的内表面包括相邻设置的反型掺杂层和氧化层,所述反型掺杂层位于所述氧化层的上方;字线,所述字线位于所述沟槽内;其中,所述反型掺杂层包括第二类型的离子,所述第一类型与所述第二类型相反。

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