申请/专利权人：株式会社日立高新技术

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117918037A

主分类号：H01L21/3065

分类号：H01L21/3065

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明的目的在于，提供不需要复杂的气体供给系统就能确保处理的效率、抑制异物的产的半导体装置的制造方法或半导体制造装置。代表性的本发明的半导体装置的制造方法之一具备如下工序：将形成于半导体晶片的处理对象的膜的加工剩余量与阈值进行比较；在供给包含在至少2个分子内具有保有非共用电子对的取代基的物质的有机气体的同时，加热所述半导体晶片来形成所述处理对象的膜与所述有机气体的化合物；以及基于所述比较的结果，在形成所述化合物的工序后进一步加热所述半导体晶片而使其升温至给定的温度，从而使所述化合物从所述半导体晶片的表面脱离。

主权项：1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：将形成于半导体晶片的处理对象的膜的加工剩余量与阈值进行比较；在供给包含在至少2个分子内具有保有非共用电子对的取代基的物质的有机气体的同时，加热所述半导体晶片来形成所述处理对象的膜与所述有机气体的化合物；和基于进行所述比较的工序的结果，在形成所述化合物的工序后进一步加热所述半导体晶片来使其升温至给定的温度，从而使所述化合物从所述半导体晶片的表面脱离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社日立高新技术 半导体装置的制造方法以及半导体制造装置

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