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申请/专利权人:德州仪器公司
摘要:本申请实施例涉及一种具有经改进RDS*CGD的LDMOS晶体管及形成所述LDMOS晶体管的方法。在所描述实例中,通过以下方式来改进横向扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管100的Rds*Cgd优值FOM:形成在若干深度D1D2处具有若干掺杂剂植入物的漏极漂移区域112,及形成在若干深度D3D4D5处具有若干掺杂剂植入物的阶梯状背栅极区域128以毗连所述漏极漂移区域112。
主权项:1.一种晶体管,其包括:半导体基板,其具有顶面;栅极,其位于所述顶面的上方;第一漏极漂移区域,其在所述顶面附近,且部分地延伸于所述栅极下方;第一背栅极区域,其与所述栅极下方的所述第一漏极漂移区域交错;第二漏极漂移区域,其位于所述第一漏极漂移区域下方,且与所述栅极下方的所述第一背栅极区域交错;第二背栅极区域,其位于所述第一背栅极区域及所述第二漏极漂移区域下方;顶部漏极漂移区域,其在所述顶面及所述第一漏极漂移区域之间;漏极掺杂剂浓度峰DCP,其在所述顶部漏极漂移区域及所述第一漏极漂移区域之间,所述漏极DCP部分地延伸于所述栅极下方;顶部背栅极区域,其位于所述栅极及所述第一背栅极区域之间;及背栅极DCP,其在所述顶部背栅极区域及所述第一背栅极区域之间,所述背栅极DCP部分地延伸于所述栅极及所述漏极DCP下方。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 德州仪器公司 具有经改进RDS*CGD的LDMOS晶体管及形成所述LDMOS晶体管的方法
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