龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利用于形成非平面电阻式存储器单元的技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN106030801B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2020-09-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201480076291.0，技术领域涉及：H01L27/24(20060101)；该发明授权用于形成非平面电阻式存储器单元的技术是由P·马吉;E·V·卡尔波夫;U·沙阿;N·慕克吉;C·C·郭;R·皮拉里塞泰;B·S·多伊尔;R·S·周设计研发完成，并于2014-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于形成非平面电阻式存储器单元的技术在说明书摘要公布了：公开了用于形成非平面电阻式存储器单元例如，非平面电阻式随机存取存储器ReRAM或RRAM单元的技术。对于给定的存储器单元空间，技术可以用于相对于平面电阻式存储器单元减小所涉及的形成电压要求和或电阻例如，在低电阻状态期间的电阻。非平面电阻式存储器单元包括第一电极、第二电极、以及设置在第一电极与第二电极之间的开关层。在形成非平面电阻式存储器单元之后，第二电极可以实质上位于开关层的相对部分之间，并且第一电极可以实质上与开关层的至少两侧相邻。在一些情况下，氧交换层OEL可以设置在开关层与第一电极和第二电极中的一个电极之间，以用于例如增加将材料并入单元中的灵活性。

本发明授权用于形成非平面电阻式存储器单元的技术在权利要求书中公布了：1.一种非平面电阻式存储器单元，包括：在相对沟槽壁上的第一电极；第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的开关层；在所述开关层与所述第一电极和所述第二电极中的一个电极之间的氧交换层OEL，其中，所述氧交换层包括在所述开关层与所述第一电极和所述第二电极中的所述一个电极之间的杯状结构中；其中，所述第二电极实质上位于所述开关层的相对部分之间，所述第二电极在所述非平面电阻式存储器单元上方和之外延伸，所述第一电极是在形成所述开关层的材料之前经过平面化过程得到的，并且在所述平面化过程期间通过牺牲氧化物层保护所述第一电极。

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