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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利双磁穿隧接面与其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110911551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910882982.4，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权双磁穿隧接面与其形成方法是由维格纳许·桑达;王郁仁;路克·汤马斯;真杰诺;沙希·帕特尔;童儒颖设计研发完成，并于2019-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本双磁穿隧接面与其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种双磁穿隧接面与其形成方法，其中第一穿隧阻障层TB1具有比上覆的第二穿隧阻障层TB2的电阻与表面积乘积RA2大致上较低的电阻与表面积乘积RA1，以提供可接受的净磁阻比DRR。此外，第一固定层PL1的磁化方向与第二固定层PL2的磁化方向反平行排列，以能够获得比平行排列时更低的临界切换电流。在第二固定层上形成具有RACAP的氧化物覆盖层，以提供更高的第二固定层稳定性。当第一穿隧阻障层与氧化物覆盖层具有比第二穿隧阻障层更小的厚度和更低的氧化态中的一者或两者，第一穿隧阻障层TB1与氧化物覆盖层包括金属氧化物或金属氮氧化物基质中的导电金属通道，或者包括掺杂的金属氧化物或掺杂的金属氮氧化物层时，实现条件RA1RA2和RACAPRA2。

本发明授权双磁穿隧接面与其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种双磁穿隧接面，包括：a第一固定铁磁层，位于基板之上；b第一穿隧阻障层，形成于所述第一固定铁磁层之上，且所述第一穿隧阻障层具有第一电阻与表面积乘积,所述第一穿隧阻障层具有多个导电通道；c自由层，接触所述第一穿隧阻障层的顶面，且所述自由层具有磁化方向，所述磁化方向与所述基板正交排列；d第二穿隧阻障层，邻接所述自由层的顶面，且所述第二穿隧阻障层具有第二电阻与表面积乘积，所述第二电阻与表面积乘积大于所述第一电阻与表面积乘积；e第二固定铁磁层，形成于所述第二穿隧阻障层之上，其中所述第二固定铁磁层具有磁化方向，所述磁化方向与所述基板正交排列且反平行于所述第一固定铁磁层的磁化方向；以及f氧化物覆盖层，接触所述第二固定铁磁层的顶面，且所述氧化物覆盖层具有电阻与表面积乘积，所述电阻与表面积乘积小于所述第二电阻与表面积乘积。

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