恭喜武汉芙丽雅电子科技有限公司郭啸龙获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉芙丽雅电子科技有限公司申请的专利低温等离子体射流阵列产生电极获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN219740697U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-22发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202320794650.2，技术领域涉及：H05H1/24；该实用新型低温等离子体射流阵列产生电极是由郭啸龙;刘云龙设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本低温等离子体射流阵列产生电极在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种低温等离子体射流阵列产生电极，包括：针簇电极、密封盖及反应腔；密封盖设置为底部敞开的半封闭式结构；密封盖密封的顶部开设有电极安装孔及气管接口；反应腔设置为顶部敞开的半封闭式结构，反应腔的顶部经密封盖的底部延伸至密封盖的内侧并与密封盖密闭连接；针簇电极安装在电极安装孔内，针簇电极的放电端设置在反应腔内；反应腔的底部开设有等离子体溢出孔群。该低温等离子体射流阵列产生电极，高压电源通过限流电阻接通针簇电极，同时气瓶中的反应气体通过密封盖气管接口注入反应腔，在高压电源和反应气体的综合作用下，反应气体和等离子射流将从反应腔的等离子体溢出孔喷射而出，可产生单端的大面积低温等离子体射流阵列。
本实用新型低温等离子体射流阵列产生电极在权利要求书中公布了：1.一种低温等离子体射流阵列产生电极，其特征在于：包括：针簇电极1、密封盖2及反应腔3；所述密封盖2设置为底部敞开的半封闭式结构；所述密封盖2密封的顶部开设有贯穿内部的电极安装孔5及气管接口4；所述反应腔3设置为顶部敞开的半封闭式结构，所述反应腔3的顶部经所述密封盖2的底部延伸至所述密封盖2的内侧并与所述密封盖2密闭连接；所述针簇电极1安装在所述电极安装孔5内，所述针簇电极1的放电端设置在所述反应腔3内；所述反应腔3的底部开设有等离子体溢出孔群，所述等离子体溢出孔群与所述针簇电极1相对设置。
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