恭喜华邦电子股份有限公司许哲睿获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体结构以及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257823B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010084404.9，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权半导体结构以及其形成方法是由许哲睿;吕俊昇;童盈辅;晏懋昌;彭琬瑜设计研发完成，并于2020-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构以及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构以及其形成方法，该半导体结构的形成方法包含以下步骤：提供衬底；形成堆叠结构于衬底上；形成阻障层于堆叠结构的侧壁上；形成第一介电层覆盖阻障层以及堆叠结构；移除第一介电层的一部分以暴露出堆叠结构的上部；形成金属层覆盖堆叠结构以及第一介电层；实行退火工艺使金属层与堆叠结构反应，以于堆叠结构的上部形成金属硅化物层；移除金属层的未反应部分；移除阻障层的一部分，以于阻障层的上方形成凹陷；以及形成第二介电层覆盖金属硅化物层以及第一介电层，以于堆叠结构的两侧形成空气间隙，藉此降低导电材料残留造成字元线短路的风险。
本发明授权半导体结构以及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成一堆叠结构于所述衬底上；形成一阻障层于所述堆叠结构的侧壁的一部分上；形成一第一介电层覆盖所述阻障层以及所述堆叠结构；移除所述第一介电层的一部分以暴露出所述堆叠结构的一上部；形成一金属层覆盖所述堆叠结构以及所述第一介电层；实行一退火工艺使所述金属层与所述堆叠结构反应，以于所述堆叠结构的所述上部形成一金属硅化物层；移除所述金属层的未反应部分；移除所述阻障层的一部分，以于所述阻障层的上方形成一凹陷；以及形成一第二介电层覆盖所述金属硅化物层以及所述第一介电层，以于所述堆叠结构的两侧形成一空气间隙。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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