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龙图腾网恭喜胜高股份有限公司申请的专利外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111627796B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010273276.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置是由辻雅之;清水昭彦;西村智和设计研发完成，并于2015-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置。所述气相沉积装置具备设置于排气管（8）内并调整反应室（2）的排气的排气调整部（9），排气调整部（9）具备：上游挡板（91），形成为反应室（2）侧的第1开口（91A）大于排气装置（7）侧的第2开口（91B）的锥台筒状；及下游挡板（92），设置于比上游挡板（91）更靠排气装置（7）侧，且形成为反应室（2）侧的第3开口（92A）大于排气装置（7）侧的第4开口（92B）的锥台筒状，上游挡板（91）及下游挡板（92）形成为如下：将排气管（8）的内径、第1开口（91A）的直径及第3开口（92A）的直径设为A、将第2开口（91B）的直径设为B、将第4开口（92B）的直径设为C时，满足BA及CA为0.33以下、BA及CA中的至少一个为0.26以下、（B+C）A为0.59以下的条件。

本发明授权外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置在权利要求书中公布了：1.一种外延硅晶片的制造方法，其使用气相沉积装置在所述硅晶片上形成外延膜，所述气相沉积装置具备：反应室，供外延膜生长；晶片移载室，设置成经由能够密闭并开放所述反应室的连通部，能够将硅晶片搬送至所述反应室；及排气装置，经由与所述反应室连接的排气管，对所述反应室进行排气，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，在所述晶片移载室的压力高于所述反应室的压力且所述排气装置正在对所述反应室进行排气的状态下打开所述连通部，将所述晶片移载室内的硅晶片搬送至所述反应室之后，关闭所述连通部之后使所述反应室的压力相比于关闭所述连通部的时点的压力暂时上升之后下降，由此将所述排气管内的附着物移送至所述排气装置侧之后，开始形成所述外延膜。

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