恭喜力晶积成电子制造股份有限公司陈骏盛获国家专利权
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龙图腾网恭喜力晶积成电子制造股份有限公司申请的专利绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010650268.5，技术领域涉及：H01L29/739；该发明授权绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法是由陈骏盛;方彦程;陈姿含设计研发完成，并于2020-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法，其中该绝缘栅双极晶体管结构包括基底与第一栅控PNPN二极管。第一栅控PNPN二极管位于基底上。第一栅控PNPN二极管包括第一栅极、第一源极漏极延伸区与第二源极漏极延伸区。第一栅极位于基底上。第一源极漏极延伸区与第二源极漏极延伸区位于第一栅极两侧的基底中。
本发明授权绝缘栅双极晶体管结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极晶体管结构，其特征在于，包括：基底；以及第一栅控PNPN二极管，位于所述基底上，其中所述第一栅控PNPN二极管包括：第一栅极，位于所述基底上；第一源极漏极延伸区与第二源极漏极延伸区，位于所述第一栅极两侧的所述基底中；以及第一区、第二区、第三区与第四区，位于所述基底中，其中所述第一区与所述第三区为第一导电型，所述第二区、第四区、所述第一源极漏极延伸区与所述第二源极漏极延伸区为第二导电型，且在所述第一区与所述第二区之间、在所述第二区与所述第三区之间以及在所述第三区与所述第四区之间分别具有PN结，其中所述第一区包括第一掺杂区，所述第二区包括第一阱区，所述第三区包括第二阱区与第二掺杂区，所述第四区包括第三掺杂区，所述第一掺杂区位于所述第一阱区中，所述第二掺杂区与所述第三掺杂区位于所述第二阱区中，且所述第二掺杂区与所述第三掺杂区短路连接，其中所述第二区还包括：第四掺杂区，位于所述第一阱区中，其中所述第一阱区包覆所述第一掺杂区与所述第四掺杂区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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