恭喜台湾积体电路制造股份有限公司史毅骏获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器器件和修整存储器器件的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113178224B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110255759.4,技术领域涉及:G11C29/42;该发明授权存储器器件和修整存储器器件的方法是由史毅骏;李嘉富;池育德设计研发完成,并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器器件和修整存储器器件的方法在说明书摘要公布了:存储器器件,诸如MRAM存储器,包括具有多个位单元的存储器阵列。存储器阵列配置为存储修整信息并且存储用户数据。感测放大器配置为从存储器阵列读取修整信息,并且修整寄存器配置为从感测放大器接收修整信息。感测放大器配置为从修整寄存器接收修整信息,以便在用于从存储器阵列读取用户数据的修整模式下操作。本申请的实施例还涉及修整存储器器件的方法。
本发明授权存储器器件和修整存储器器件的方法在权利要求书中公布了:1.一种存储器器件,包括:存储器阵列,包括多个位单元,所述存储器阵列配置为存储修整信息并且存储用户数据;感测放大器,配置为从所述存储器阵列读取所述修整信息;修整寄存器,配置为从所述感测放大器接收所述修整信息;以及其中,所述感测放大器配置为从所述修整寄存器接收所述修整信息,以便在用于从所述存储器阵列读取所述用户数据的修整模式下操作。
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