恭喜赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司陈学志获国家专利权
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龙图腾网恭喜赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利一种MEMS气体传感器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113406156B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110819966.8，技术领域涉及：G01N27/12；该发明授权一种MEMS气体传感器及制作方法是由陈学志;杨云春;郭鹏飞;陆原设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS气体传感器及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种MEMS气体传感器及制作方法，该方法包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面。本发明使气敏电极下沉至绝缘层中，使绝缘层上表面是平坦的；在后续沉积气敏膜时，使得气敏膜厚均和密度均能均匀分布，还会导致形成的气敏膜的膜表面积增大，提高气体传感器的敏感度。
本发明授权一种MEMS气体传感器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS气体传感器，其特征在于，包括：衬底，介质层，形成于所述衬底上；绝缘层，形成于所述介质层上；气敏电极，所述气敏电极嵌入至所述绝缘层中，且所述气敏电极的上表面与所述绝缘层的上表面处于同一水平面，所述气敏电极包括气敏叉指电极；所述传感器还包括：气敏膜，形成于所述气敏叉指电极上，其中，所述气敏膜的形成方法为掠射角沉积方法；所述衬底中设有空腔，所述空腔设置在所述气敏叉指电极对应的区域中；所述传感器还包括：释放通孔，所述释放通孔形成在所述气敏叉指电极外，贯穿所述介质层和所述绝缘层且连通所述空腔；加热电极，所述加热电极设置在所述绝缘层中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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