南京工业大学操振华获国家专利权
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龙图腾网获悉南京工业大学申请的专利一种含W低活化高熵合金及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113846303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111145286.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种含W低活化高熵合金及其制备方法是由操振华;张子鉴;陈家豪;韩茜婷;马涵设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含W低活化高熵合金及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一种含W低活化高熵合金薄膜及其制备方法。其特征在于利用共溅射和交替溅射沉积TiVCr100‑xWx高熵合金和单相W层，形成具有不同单层厚度TiVCr100‑xWxW纳米多层结构，其中TiVCr100‑xWx层中掺杂不同的W含量，W单层中通过层厚可调节α‑W和β‑W，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得具有优异力学和物理性能的含W的低活化高熵合金材料。本发明方法操作简单，重复性好，清洁无污染，所制备薄膜表面平整，膜厚均匀，具有低活化，高热稳定性，抗辐照损伤等性能优势，相比TiVCr单相薄膜性能显著提升，具有良好的应用前景。
本发明授权一种含W低活化高熵合金及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含W低活化高熵合金薄膜，其特征在于：利用共溅射和交替溅射沉积TiVCr100-xWx高熵合金层和单相W层，其中X的取值范围为0≤x≤25％，形成具有不同单层厚度的TiVCr100-xWxW纳米多层结构，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得强度、耐热和抗辐照兼具的含W低活化高熵合金薄膜，其中所述的TiVCr100-xWx高熵合金和单相W层单层厚度相等，层厚均为2-500nm。
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