买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜广东省科学院半导体研究所申请的专利纳米图形衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111651524.3，技术领域涉及：H01L33/00；该发明授权纳米图形衬底的制备方法是由刘宁炀;李祈昕;杨荣宜;曾昭烩;任远;何晨光;陈志涛设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳米图形衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种纳米图形衬底的制备方法，其通过对依次设置在透明衬底上的透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥台形的第二孔洞和在透光层上形成第三孔洞；并通过去除第一掩膜，形成第一坯体，以及在第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜，再对透光层和不透光层分别进行刻蚀，在不透光层上形成锥形的第一凸起和在透光层上形成第二凸起的方式，在衬底上形成具有严格周期的图形，而且，由于在衬底上形成的图形的图案可以根据第二孔洞的设置实现，且刻蚀过程无需借助昂贵的专用设备，可以在不提高成本的基础上，在大尺寸的衬底上灵活地制备图案复杂的图形。

本发明授权纳米图形衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.纳米图形衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S10：在透明衬底上依次制备透光层和不透光层；S20：在所述不透光层上制备具有第一孔洞的第一掩膜，所述第一孔洞将所述不透光层的上表面与外部连通；S30：在所述不透光层的位于所述第一孔洞的下方制备锥台形的第二孔洞，所述第二孔洞将所述透光层的上表面与外部连通；S40：在所述透光层的位于所述第二孔洞的下方制备第三孔洞，所述第三孔洞将所述透明衬底的上表面与外部连通；S50：去除第一掩膜，形成第一坯体；S60：在所述第二孔洞和第三孔洞中制备第二掩膜；S70：对所述不透光层进行刻蚀，以在所述第二孔洞的外周形成纵截面为锥形的第一凸起；S80：将所述透光层的未覆盖不透光层的部分完全刻蚀，形成第四孔洞，以使在所述透明衬底上的透光层形成位于所述第一凸起下方的第二凸起；S90：去除所述第二掩膜。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省科学院半导体研究所，其通讯地址为：510651 广东省广州市天河区长兴路363号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。