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龙图腾网恭喜中诚华隆计算机技术有限公司申请的专利一种芯片的封装方法及其封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116435258B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310694927.9，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种芯片的封装方法及其封装结构是由王嘉诚;张少仲;张栩设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的封装方法及其封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片的封装方法及其封装结构，属于芯片封装技术领域，该封装方法包括：（1）提供硅晶圆，所述硅晶圆包括厚度方向相对的功能面和非功能面，从所述功能面的表面向所述非功能面的方向刻蚀多个硅通孔结构，并使得各硅通孔结构在所述功能面的表面呈菱形阵列排布；（2）在所述功能面上形成金属布线层，并对所述非功能面进行减薄，直至漏出硅通孔结构；（3）在所述非功能面上刻蚀散热孔结构，得到第一芯片层；（4）重复步骤（1）至（3）得到第二芯片层，将所述第一芯片层的非功能面和所述第二芯片层的功能面进行键合，完成芯片的封装。本发明减小了芯片封装过程中热应力的累积，且能够增强芯片间的散热能力，保证芯片的可靠性。

本发明授权一种芯片的封装方法及其封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括如下步骤：（1）提供硅晶圆，所述硅晶圆包括厚度方向相对的功能面和非功能面，从所述功能面的表面向所述非功能面的方向刻蚀多个硅通孔结构，并使得各硅通孔结构在所述功能面的表面呈菱形阵列排布；相邻硅通孔结构之间的间隔为18~20μm；（2）在所述功能面表面上形成金属布线层，并对所述非功能面进行减薄，直至漏出硅通孔结构；（3）在所述非功能面上刻蚀散热孔，得到第一芯片层；（4）重复步骤（1）至（3）得到第二芯片层，将所述第一芯片层的非功能面和所述第二芯片层的功能面对准键合，完成芯片的封装；步骤（1）包括如下子步骤：（11）在所述硅晶圆表面需要刻蚀硅通孔结构的区域生长掩膜层，在所述掩膜层上进行刻蚀，形成硅盲孔；（12）向所述硅盲孔内填充聚合物溶液后，依次进行离心和固化以将所述聚合物溶液沉积到所述硅盲孔的底部和侧壁，形成绝缘层；（13）在所述绝缘层的底部和侧壁上依次沉积阻挡层和种子层后，利用自下而上镀铜工艺在所述硅盲孔内沉积金属铜，形成导电层；（14）在所述硅盲孔的外周刻蚀环形凹槽，完成硅通孔结构的制备；其中，所述环形凹槽的圆心与所述硅盲孔的圆心相同。

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