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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107728190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710927004.8，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器是由秦国轩;赵政;张一波;党孟娇;王亚楠设计研发完成，并于2017-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器在说明书摘要公布了：一种基于多指SiGeHBT的辐射强度检测器，包括依次串联连接的：三八译码器、起连接作用的第一排插、可拆卸辐射强度探测阵列、起连接作用的第二排插、滤波器阵列和AD转换电路阵列和FPGA芯片，FPGA芯片的信号输入端还连接矩阵键盘，FPGA芯片的输出端连接液晶显示器以及连接三八译码器的输入端。可拆卸辐射强度探测阵列是由若干个结构相同的检测单元构成，每一个检测单元的输入端通过第一排插连接三八译码器的输出端，每一个检测单元的输出端通过第二排插连接滤波器阵列的输入端。本发明可以实现对质子辐射、电离辐射和中子辐射辐射强度的快速高效检测。可应用于航空航天，核电站等对辐射敏感的工作区域，也可以应用于日常生产生活中。

本发明授权一种基于多指SiGe HBT的辐射强度检测器在权利要求书中公布了：1.一种基于多指SiGeHBT的辐射强度检测器，其特征在于，包括依次串联连接的：三八译码器（1）、起连接作用的第一排插（2）、可拆卸辐射强度探测阵列（3）、起连接作用的第二排插（4）、滤波器阵列（5）和AD转换电路阵列（6）和FPGA芯片（7），所述FPGA芯片（7）的信号输入端还连接矩阵键盘（8），所述FPGA芯片（7）的输出端连接液晶显示器（10）以及连接三八译码器（1）的输入端；所述的AD转换电路阵列（6）是由若干个结构相同的AD转换电路构成，所述AD转换电路的个数与构成滤波器阵列（5）的滤波器的个数相同；所述的可拆卸辐射强度探测阵列（3）是由若干个结构相同的检测单元（3-1）构成，每一个检测单元（3-1）的输入端通过第一排插（2）连接所述三八译码器（1）的输出端，每一个检测单元（3-1）的输出端通过第二排插（4）连接所述滤波器阵列（5）的输入端；所述滤波器阵列（5）是由若干个结构相同的滤波器构成，所述滤波器的个数与构成可拆卸辐射强度探测阵列（3）的检测单元（3-1）的个数相同；所述的检测单元（3-1）包括有一个多指SiGeHBT（G）、第一MOS开关管（T1）和第二MOS开关管（T2），其中，所述多指SiGeHBT（G）的基极接地，集电极连接第一MOS开关管（T1）的漏极，发射极连接第二MOS开关管（T2）的漏极，所述第一MOS开关管（T1）和第二MOS开关管（T2）的栅极通过第一排插（2）连接三八译码器（1）的输出端，源极通过第二排插（4）连接滤波器（5）的输入端；在所述的检测单元（3-1）中，所述的第一MOS开关管（T1）和第二MOS开关管（T2）采用隔离铅盒（16）进行封闭，用于与所述的多指SiGeHBT（G）进行隔离；所述多指SiGeHBT（G）的集电极（Gc）上设置有U型结构的集电极n型掺杂区（15），所述集电极n型掺杂区（15）的U型凹槽内嵌入有基区p型掺杂区（14），所述基区p型掺杂区（14）的上端面内分别嵌入有3个发射极n型掺杂区（11、12、13），所述多指SiGeHBT（G）的基极（Ga）为梳状结构，且一体形成有4个基极齿（a），所述多指SiGeHBT（G）的发射极（Gb）为梳状结构，且一体形成有3个发射极齿（b），所述发射极的3个发射极齿（b）对应插入到基极的4个基极齿（a）的齿间内，所述基极（Ga）的4个基极齿（a）位于所述基区p型掺杂区（14）的上端面上，所述发射极的3个发射极齿（b）对应位于所述3个发射极n型掺杂区（11、12、13）的上端面上。

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