杭州纤纳光电科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州纤纳光电科技有限公司申请的专利一种沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备及使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110047998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201810046149.1,技术领域涉及:H10K71/16;该发明授权一种沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备及使用方法是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2018-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备及使用方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备,包括一密封腔室,在密封腔室内设置有至少两个相互隔离的子腔室,在至少一个所述子腔室内设置有至少一组半封闭反应器装置,半封闭反应器装置包括下加热升华装置和上加热台,在下加热升华装置的顶部设置有开口朝上的器皿,在器皿内盛载有反应物,在器皿的正上方设置有基片架,基片架遮罩在器皿的开口上,在基片架的下底面设置有待沉积的基片,基片上的待沉积面正朝向器皿中的反应物,反应物被蒸发沉积到基片表面。本发明还公开了一种制备钙钛矿太阳能电池的方法,其使用了前述的沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备。本发明可在制备过程中控制薄膜的晶体生长,提高成膜质量及均匀性和重复性。
本发明授权一种沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备及使用方法在权利要求书中公布了:1.一种沉浸式制备钙钛矿太阳能电池的设备,包括一密封腔室,其特征在于,在所述密封腔室内设置有至少两个相互隔离的子腔室,在每两个相邻的所述子腔室之间设置有可开闭的隔离门和输送通道,待沉积的基片穿过隔离门从一个子腔室沿输送通道被输送至另一个子腔室内,在至少一个所述子腔室内设置有至少一组半封闭反应器装置,所述半封闭反应器装置包括下加热升华装置和上加热台,在所述下加热升华装置的顶部设置有开口朝上的器皿,在所述器皿内盛载有反应物,在所述器皿的正上方设置有基片架,所述基片架遮罩在器皿的开口上,在所述器皿的侧面设置有基片架支撑平台,所述基片架设置在基片架支撑平台上,在所述基片架的下底面设置有待沉积的基片,所述基片位于器皿的正上方,其上的待沉积面正朝向器皿中的反应物,所述上加热台设置在基片架上给基片加热,所述反应物被蒸发沉积到基片表面;所述器皿的开口面积大于基片的面积,在所述器皿内的反应物前体厚度为2~10mm,其厚度差不超过0.1~1.0mm,所述基片的待沉积面与反应物前体的顶面高度距离为5~40mm;设备还包括一传动装置,所述传动装置驱动基片架支撑平台使基片架在水平方向上轻微摆动;所述钙钛矿太阳能电池的截面结构依次包括透明导电衬底、第一传输层、钙钛矿活性层、第二传输层以及背电极,在所述密封腔室设置有三个子腔室,其中位于前面的子腔室为第二沉积站用于在沉积有钙钛矿太阳能电池的第一传输层的基片上沉积钙钛矿前驱物BX2,中间的子腔室为基片预处理站用于对沉积有钙钛矿前驱物的基片进行预处理,后面的子腔室为第三沉积站用于在预处理过后的沉积有钙钛矿前驱物的基片上沉积钙钛矿反应物AX,在所述第三沉积站内设置有至少一组半封闭反应器装置,所述钙钛矿前驱物BX2和钙钛矿反应物AX组合成为钙钛矿太阳能电池的钙钛矿活性层;其中,在所述钙钛矿前驱物BX2中B为二价金属阳离子,为铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋中的任意一种阳离子,X为氯、溴、碘、硫氰根、氰根、氧氰根、醋酸根、叠氮酸根、硼氢根、CoCO4-、CNO23-、CCN3-中的任意一种阴离子;在钙钛矿反应物AX中A为铯、铷、钾、胺基、脒基或者碱族中的任意一种阳离子,X为氯、溴、碘、硫氰根、氰根、氧氰根、醋酸根、叠氮酸根、硼氢根、CoCO4-、CNO23-、CCN3-中的任意一种阴离子。
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