恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111446228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910040653.5，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体器件及其制造方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2019-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具备：第一介电质层，其沉积在半导体衬底上；第二介电质层，其沉积在所述第一介电质层上；接触孔，分别对所述第一介电质层和所述第二介电质层进行蚀刻而形成，具有高深宽比，且具有垂直轮廓或者正面轮廓；第一金属层，其沉积在所述接触孔中；阻挡层，其形成在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方；以及第二金属层，其沉积在所述阻挡层上。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，具备： 第一介电质层，其沉积在半导体衬底上； 第二介电质层，其沉积在所述第一介电质层上； 接触孔，分别对所述第一介电质层和所述第二介电质层进行蚀刻而形成，与所述衬底连接，具有高深宽比，且具有垂直轮廓或者正面轮廓； 第一金属层，其沉积在所述接触孔中； 阻挡层，其形成在沉积了所述第一金属层的所述接触孔的上方；以及 第二金属层，其沉积在所述阻挡层上； 其中，所述高深宽比为深宽比大于10； 所述第一介电质层的湿蚀刻速率比大于所述第二介电质层的湿蚀刻速率比。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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