恭喜沈阳硅基科技有限公司贾文博获国家专利权
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龙图腾网恭喜沈阳硅基科技有限公司申请的专利一种直接生长SOI的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911028055.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种直接生长SOI的方法是由贾文博设计研发完成，并于2019-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种直接生长SOI的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种直接生长SOI的方法，所述方法包括：对预定硅片进行氧化；使用二乙氧基甲基硅烷作为炭源，在预定硅片的氧化层上沉积非晶炭，得到具有非晶炭层的硅片；对所述具有非晶炭层的硅片进行高温退火还原处理，使所述氧化层与所述非晶炭层发生化学反应，生成单晶硅和一氧化碳，得到具有顶层单晶硅的硅片；其中，处理过程采用惰性气体进行保护；将所述具有顶层单晶硅的硅片放入外延设备中，使所述顶层单晶硅的厚度外延生长至预定厚度，得到SOI。本发明的直接生长SOI的方法，可以简化制备工艺流程且生产成本低、产能高。
本发明授权一种直接生长SOI的方法在权利要求书中公布了：1.一种直接生长SOI的方法，其特征在于，所述方法包括： 对预定硅片进行氧化； 使用二乙氧基甲基硅烷作为炭源，在预定硅片的氧化层上沉积非晶炭，得到具有非晶炭层的硅片； 对所述具有非晶炭层的硅片进行高温退火还原处理，使所述氧化层与所述非晶炭层发生化学反应，生成单晶硅和一氧化碳，得到具有顶层单晶硅的硅片；其中，处理过程采用惰性气体进行保护； 将所述具有顶层单晶硅的硅片放入外延设备中，使所述顶层单晶硅的厚度外延生长至预定厚度，得到SOI； 其中，SOI中间层为所述高温退火还原处理后的剩余氧化层，SOI顶层硅为预定厚度的顶层单晶硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人沈阳硅基科技有限公司，其通讯地址为：110000 辽宁省沈阳市沈阳出口加工区浑南东路15-22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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