恭喜应用材料公司康宋坤获国家专利权
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龙图腾网恭喜应用材料公司申请的专利减少DRAM字线中的栅极诱发的漏极泄漏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911122441.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权减少DRAM字线中的栅极诱发的漏极泄漏是由康宋坤;李智勇;柳尚澔;陈世忠;杰弗里·W·安西斯设计研发完成，并于2019-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少DRAM字线中的栅极诱发的漏极泄漏在说明书摘要公布了：描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。
本发明授权减少DRAM字线中的栅极诱发的漏极泄漏在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 衬底，所述衬底具有衬底表面，所述衬底表面具有延伸到所述衬底中某个深度的多个沟槽，每个沟槽包括底部和侧壁； 栅极氧化物层，所述栅极氧化物层在所述沟槽的所述底部和所述侧壁上； 凹陷的金属层，所述凹陷的金属层在所述栅极氧化物层上，所述凹陷的金属层包括第一功函数金属层和体金属层，所述凹陷的金属层具有在所述沟槽的所述深度内的顶表面，所述第一功函数金属层的顶表面和所述体金属层的顶表面处于距所述衬底表面的相同深度；和 第二功函数金属层，所述第二功函数金属层在所述第一功函数金属层和所述体金属层上，其中所述第二功函数金属层大体上不含多晶硅和或掺杂的多晶硅，并且所述第二功函数金属层具有小于4.3eV的功函数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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