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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108624867B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810446713.9，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善原子层沉积膜厚均匀度的方法、电容器的制造方法、用于承载晶圆的晶舟及原子层沉积炉管，其中改善原子层沉积膜厚均匀度的方法，包括：提供用于承载晶圆的晶舟，包括将顶部稳流件可抽取式地插入第一凹槽，以在顶盖与晶圆之间形成阻挡；将底部稳流件可抽取式插入第二凹槽，以在底座和晶圆之间形成阻挡；装载多个晶圆在装载架中，包括将多个晶圆中的每一个可抽取式插入第三凹槽；进行原子层沉积工艺，包括由原子层沉积炉管的气体注射器排入制程气体，经由所述晶舟沉积于多个晶圆以形成薄膜，顶部稳流件和底部稳流件改善制程气体在晶舟的顶部和底部的气体流布均匀度。本发明可以改善沉积膜厚均匀度，降低微尘污染，并提升良率。

本发明授权改善原子层沉积膜厚均匀度的方法和用于承载晶圆的晶舟在权利要求书中公布了：1.一种改善原子层沉积膜厚均匀度的方法，其特征在于，包括：提供用于承载晶圆的晶舟；其中，所述晶舟包括装载架，具有位于顶部的顶盖、位于底部的底座，及多根竖直连接于所述顶盖的外周和所述底座的外周之间的连接柱，所述连接柱的内壁开设有第一凹槽、第二凹槽及多个第三凹槽，所述第一凹槽位于所述连接柱的顶部；所述第二凹槽，位于所述连接柱的底部；所述第三凹槽位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之间，用于插入所述晶圆，所述晶舟还包括顶部稳流件及底部稳流件，所述顶部稳流件可抽取式地插入所述第一凹槽，以在所述顶盖与所述晶圆之间形成阻挡；所述底部稳流件可抽取式插入所述第二凹槽，以在所述底座和所述晶圆之间形成阻挡，其中，所述顶盖、所述顶部稳流件、所述底部稳流件和所述底座平行设置；装载多个晶圆在所述装载架中，包括将所述多个晶圆中的每一个可抽取式插入所述第三凹槽；进行原子层沉积工艺，包括由原子层沉积炉管的气体注射器排入制程气体，所述制程气体经由所述晶舟沉积于所述多个晶圆以形成薄膜，所述顶部稳流件和所述底部稳流件改善所述制程气体在所述晶舟的顶部和底部的气体流布均匀度。

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