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龙图腾网获悉上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司申请的专利一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111129053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911334323.3，技术领域涉及：H01L27/146；该发明授权一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法是由顾学强设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS图像传感器像素单元结构，设于上下堆叠的上层硅衬底和下层硅衬底上；所述上层硅衬底上设有上层光电二极管，所述下层硅衬底上设有下层光电二极管，所述上层光电二极管与所述下层光电二极管上下对应，且其之间设有光通道；其中，任意一对所述上层光电二极管和所述下层光电二极管分别接收的光信号，在进行光电转换后通过同一像素单元进行信号输出。本发明通过两片CMOS图像传感器芯片的混合键合，实现了上下像素单元之间的互连，从而可以利用位于下层的光电二极管对近红外入射光线的收集，提高像素单元的量子效率。

本发明授权一种CMOS图像传感器像素单元结构和形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器像素单元结构，其特征在于，设于上下堆叠的上层硅衬底和下层硅衬底上；所述上层硅衬底上设有上层光电二极管，所述下层硅衬底上设有下层光电二极管，所述上层光电二极管与所述下层光电二极管上下对应，且其之间设有光通道；其中，任意一对所述上层光电二极管和所述下层光电二极管分别接收的光信号，在进行光电转换后通过同一像素单元进行信号输出；所述上层硅衬底上设有与所述上层光电二极管相连接的上层传输晶体管和上层悬浮漏极，所述下层硅衬底上设有与所述下层光电二极管相连接的下层传输晶体管和下层悬浮漏极；其中，所述上层传输晶体管与所述下层传输晶体管相连接，所述上层悬浮漏极与所述下层悬浮漏极相连接，所述上层光电二极管和所述下层光电二极管的光电转换信号，通过设于所述上层硅衬底或所述下层硅衬底上的像素单元的选择晶体管进行输出；所述上层光电二极管、上层传输晶体管、上层悬浮漏极以及选择晶体管设于所述上层硅衬底正面上，所述上层硅衬底正面表面上设有上层层间介质层，所述上层层间介质层中设有一至多层上层金属互连层；所述下层光电二极管、下层传输晶体管和下层悬浮漏极设于所述下层硅衬底正面上，所述下层硅衬底正面表面上设有下层层间介质层，所述下层层间介质层中设有一至多层下层金属互连层；其中，所述上层层间介质层与所述下层层间介质层相连接，所述上层金属互连层与所述下层金属互连层相连接，所述上层传输晶体管通过所述上层金属互连层和所述下层金属互连层与所述下层传输晶体管相连接，所述上层悬浮漏极通过所述上层金属互连层和所述下层金属互连层与所述下层悬浮漏极相连接。

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