长沙壹纳光电材料有限公司陈明飞获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙壹纳光电材料有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110182072.2，技术领域涉及：H01L31/0747；该发明授权一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用是由陈明飞;刘永成;江长久;陈明高;徐胜利;王志杰;郭梓旋;莫国仁;李跃辉设计研发完成，并于2021-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用，该异质结太阳能电池包括依次层叠的TCO‑I膜层，N型非晶硅层、第一本征非晶硅层、N型衬底、第二本征非晶硅层、P型非晶硅层和TCO‑III膜层，其中，TCO‑I膜层为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO，TCO‑III膜层为氧化锡含量≥10wt％的ITO。由于羧基的存在会与TCO膜层中的氧化铟反应，而本发明的异质结太阳能电池，TCO‑I膜层中，二氧化锡的含量为1wt％～4wt％，TCO‑III膜层中，二氧化锡的含量≥10wt％，能有效减少羧基与TCO膜层中氧化铟的反应，避免TCO膜层的腐蚀和TCO膜层与印刷银浆的接触电阻被升高。TCO‑I膜层的氧化锡含量为1wt％～4wt％，兼顾了羟基腐蚀和光的透过率，效果最优。
本发明授权一种异质结太阳能电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括依次层叠的TCO-I膜层24、N型非晶硅层22、第一本征非晶硅层21、N型衬底1、第二本征非晶硅层31、P型非晶硅层32和TCO-III膜层33；TCO-I膜层24为氧化锡含量1wt％～4wt％的ITO；TCO-III膜层33为氧化锡含量≥10wt％的ITO。
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