长鑫存储技术有限公司冯伟获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594097B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110862614.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构是由冯伟;卢经文;朱柄宇;崔兆培设计研发完成，并于2021-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种埋入式位线结构的制作方法及埋入式位线结构，埋入式位线结构的制作方法包括，提供初始结构，初始结构有源区结构；形成初始位线沟槽，初始位线沟槽暴露有源区结构；形成导电结构，导电结构位于初始位线沟槽的底部；形成位线接触结构，位线接触结构覆盖导电结构，且位线接触结构的顶面低于有源区结构的顶面；形成绝缘结构，绝缘结构覆盖位线接触结构。本公开的埋入式位线结构的制作方法，在初始位线沟槽中形成位线结构，位线结构埋入式设置在衬底中，不需要经过刻蚀处理，不会出现位线结构倾斜、倒塌等问题。
本发明授权埋入式位线结构及其制作方法、半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种埋入式位线结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供初始结构，所述初始结构包括基底以及设置在所述基底上的保护层，所述基底包括有源区结构和介质层；部分去除所述保护层、有源区结构以及介质层以形成初始位线沟槽，所述初始位线沟槽暴露所述有源区结构；形成导电结构，所述导电结构位于所述初始位线沟槽的底部；形成位线接触结构，所述位线接触结构覆盖所述导电结构，且所述位线接触结构的顶面低于所述有源区结构的顶面；形成绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述位线接触结构，所述绝缘结构的顶面与所述保护层的顶面平齐。
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