长鑫存储技术有限公司金星获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110844690.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法是由金星设计研发完成，并于2021-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法，所述位线结构设置于衬底，所述位线结构包括：接触部，其底面与所述衬底连接；阻挡层，其包括延伸部，所述延伸部覆盖所述接触部的顶面和外侧壁面；导电层，覆盖部分所述阻挡层。在本公开中，位线结构的阻挡层覆盖接触部的顶面和外侧壁面，阻挡层保护接触部的侧壁不被氧化，减小了位线的接触电阻，能够增加器件的读取速度。
本发明授权位线结构、半导体结构及位线结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种位线结构，设置于衬底，其特征在于，所述位线结构包括：接触部，其包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述衬底内部，所述第二部分位于所述衬底的上方；阻挡层，其包括延伸部和主体部，所述延伸部覆盖所述接触部的顶面和外侧壁面；导电层，覆盖所述主体部，以及所述延伸部的部分表面；其中，所述接触部的第二部分贯穿所述主体部并延伸至所述导电层内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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