安徽工业大学丁健翔获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽工业大学申请的专利低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2023-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111079978.8，技术领域涉及：H01H1/021；该发明授权低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法是由丁健翔;张凯歌;夏欣欣;程宇泽;汪恬昊;丁宽宽;张培根;杨莉;陈立明;冉松林;柳东明;张世宏;孙正明设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法，属于电触头材料技术领域，所述低Cd电触头增强相材料元素组成为Ti和Cd，其元素摩尔比为2:1，属于TiCd金属间化合物的一种，上述Ti2Cd用于制备AgTi2Cd复合电触头材料，复合电触头材料中Cd含量比同组分AgCdO中Cd含量降低38％以上，具有显著减毒作用，该复合电触头在实际应用过程中表面接触电阻小、温升低、抗材料损失能力强，具有优异的抗电弧侵蚀性能。产业化后可大规模适用于军事电子电气装备、航空航天等继电器、接触器中，未来可有效推动低压开关电触头材料的低Cd化、低毒化进程。
本发明授权低Cd电触头增强相材料、低Cd银基复合电触头材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低Cd电触头增强相材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1:按摩尔比称取Ti粉、Cd粉；S2:将步骤S1中Ti粉、Cd粉末充分混合，得到均匀混合粉末；S3:将步骤S2中混合物粉末在惰性气体保护下烧结，以一定升温速率加热到设定温度并保温一段时间；S4:将步骤S3中烧结的样品取出，磨粉过筛即可得到低Cd电触头增强相材料；所述增强相材料元素为Ti2Cd颗粒，为类球形，颗粒尺寸为1-50μm；步骤S3中所述惰性气体为Ar气或N2气，升温速率为3-30℃min，设定温度为300-1200℃，保温时间为0.5-4h。
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