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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种结型场效应晶体管器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112466753B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-07-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011150276.X，技术领域涉及：H01L21/335；该发明授权一种结型场效应晶体管器件的制备方法是由蒋骞苑;赵德益;吕海凤;郝壮壮;张啸;王允设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种结型场效应晶体管器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种结型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体器件设计和制造领域，包括硅片，于硅片的第一表面形成第一N型埋层和P型埋层并退火；清洗后生长第一P型外延层；于第一P型外延层中形成第二N型埋层；再次清洗，生长第二P型外延层；形成N+注入区和P+注入区；生长二氧化硅介质层，并沿Y轴方向形成一深槽，形成深P+掺杂区；清洗，随后淀积P+多晶硅；形成对应的栅极接触孔；形成漏极金属、第一栅极金属和源极金属；于第二表面上形成第二栅极金属。本发明的有益效果在于：具有导通电阻低、栅控能力强、夹断电压低、开关功耗小、关断功耗较低等优点；同时其稳定性较高，适用于各种恒流源电路。

本发明授权一种结型场效应晶体管器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种结型场效应晶体管器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一硅片，所述硅片具有第一表面和第二表面，于所述硅片的第一表面通过光刻工艺和离子注入工艺形成至少一个第一N型埋层；步骤S2，通过光刻工艺和离子注入工艺于所述第一N型埋层的邻边形成一P型埋层，并对所述第一N型埋层和所述P型埋层进行高温退火，以得到具有一定结深的第一N型埋层和所述P型埋层；步骤S3，进行清洗，并于所述第一表面、所述第一N型埋层和所述P型埋层的上表面形成一第一P型外延层；步骤S4，于所述第一P型外延层的上表面通过光刻工艺和离子注入工艺形成第二N型埋层；步骤S5，进行清洗，并于所述第一P型外延层和所述第二N型埋层的上表面形成第二P型外延层；步骤S6，于所述第二P型外延层的表面通过光刻工艺和离子注入工艺形成N+注入区，并进行退火；步骤S7，通过光刻工艺和离子注入工艺于所述N+注入区的邻边形成P+注入区；步骤S8，于所述第二P型外延层、所述N+注入区和所述P+注入区上生长二氧化硅介质层，并沿Y轴方向采用光刻工艺和干法刻蚀工艺形成深槽；步骤S9，利用高温硼源扩散形成深P+掺杂区；步骤S10，利用清洗溶液进行清洗，随后于所述深槽内淀积P+多晶硅；步骤S11，通过光刻工艺和刻蚀工艺去除局部的二氧化硅介质层，以露出所述N+注入区，并于所述N+注入区上方形成对应的栅极接触孔；步骤S12，通过金属溅射工艺、光刻工艺和干法刻蚀工艺，形成漏极金属、第一栅极金属和源极金属，并粘贴蓝膜保护层；步骤S13，对所述硅片的第二表面进行减薄处理，于所述第二表面上蒸发金属，形成第二栅极金属。

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