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恭喜厦门芯达茂微电子有限公司徐守一获国家专利权

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龙图腾网恭喜厦门芯达茂微电子有限公司申请的专利一种SiC Trench MOSFET器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN221687538U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420172057.9,技术领域涉及:H01L29/78;该实用新型一种SiC Trench MOSFET器件是由徐守一;蔡铭进;李贤杰设计研发完成,并于2024-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种SiC Trench MOSFET器件在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体器件技术领域,提供一种SiCTrenchMOSFET器件。SiCTrenchMOSFET器件包括衬底、漂移区、基区、源区和栅极。衬底具有相对的第一表面和第二表面;漂移区形成于第一表面上,漂移区上具有一沟槽,沟槽具有一容腔;基区形成于漂移区上且位于沟槽的外侧;源区形成于基区的上表面的局部区域内且位于沟槽的外侧;栅极设置于容腔内且与槽壁之间具有栅氧化层,栅极通过栅氧化层分别与漂移区、基区和源区相区隔;其中,漂移区的内部设置有至少一个离子区,离子区包覆沟槽位于漂移区的外侧。采用这种SiCTrenchMOSFET器件能够减轻沟槽底部的电场集中,从而提升器件的可靠性。

本实用新型一种SiC Trench MOSFET器件在权利要求书中公布了:1.一种SiCTrenchMOSFET器件,其特征在于,包括:衬底(100),具有相对的第一表面(110)和第二表面(120),所述衬底(100)具有第一导电类型;漂移区(200),形成于所述第一表面(110)上,所述漂移区(200)具有第二导电类型;沟槽(210),形成于所述漂移区(200)上并向上延伸,且裸露出所述漂移区(200)的部分表面;所述沟槽(210)具有一容腔(211);基区(300),形成于所述漂移区(200)上且位于所述沟槽(210)的外侧,所述基区(300)具有第三导电类型;源区(400),形成于所述基区(300)的上表面的部分区域内且位于所述沟槽(210)的外侧,所述源区(400)具有第四导电类型;栅极(500),设置于所述容腔(211)内且与槽壁(212)之间具有栅氧化层(510),所述栅极(500)通过栅氧化层(510)分别与所述漂移区(200)、基区(300)和源区(400)相区隔;其中,所述漂移区(200)内部设置有离子区(220),所述离子区(220)包覆所述沟槽(210)位于所述漂移区(200)的外侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人厦门芯达茂微电子有限公司,其通讯地址为:361000 福建省厦门市集美区灌口镇金辉西路8-4号之二;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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